今日小满 万物小得盈满

4F Square 架构全球首产：消息称三星突破 10 纳米 DRAM 瓶颈_蜘蛛资讯网

出采用 4F Square 单元结构与 VCT 技术的 10a DRAM 晶圆，并在测试中确认了功能性芯片，计划于 2028 年量产。这一突破标志着业界首次在 DRAM 生产中引入 4F Square 单元结构与垂直通道晶体管（VCT）工艺。注：4F Square 是一种先进的 DRAM 单元结构设计，其中“F”代表光刻工艺的最小特征尺寸。该结构将每个存储单元置于 2F×2F 的面积内，相比传统的

西，首次击败巴西2026年友谊赛，英格兰0-1日本，首次击败英格兰在赢得过世界杯冠军的球队中，日本只剩意大利没有击败过（1平2负）。

单元间距，打破了传统平面结构的微缩瓶颈，是实现 4F Square 高密度单元的基础。图源：三星10a 工艺被视为 DRAM 进入 10nm 以下节点的首代技术，其实际电路线宽约为 9.5 至 9.7nm。相比当前主流的 6F Square 设计，4F Square 结构将每个单元置于 2F×2F 的面积内，能在相同芯片面积下将单元密度提升约 30% 至 50%。新技术面临的主要挑战是材料变革。通

当前文章：http://qzzdn.luomuce.cn/y00spt/d23ir.htm

发布时间：04:08:32